SUNX松下光電傳感器，使用環(huán)境影響

受光元件 CMOS圖形傳感器

電源電壓 12V～24V DC±10%　脈動P-P10%

短路保護(hù) 配備(自動恢復(fù))

模擬輸出 電壓 ?輸出范圍：0V~5V(報警時：+5.2V)

?輸出阻抗：100Ω

電流 ?輸出范圍：4mA~20mA(報警時：0mA)

?負(fù)載阻抗：300Ω大

反應(yīng)時間 1.5ms/5ms/10ms 可切換

〈PNP輸出型〉

PNP開路集電極晶體管

外部輸入 〈NPN輸出型〉

NPN無接點(diǎn)輸入

?輸入條件

無效：＋8V～＋V DC或者開放

? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出和0V之間）

有效：0V～＋1.2V DC

?輸入阻抗：約10kΩ

<PNP輸出型>

PNP無接點(diǎn)輸入

?輸入條件

無效：0V～＋0.6V DC或者開放

有效：＋4～＋V DC

? 輸入阻抗：約10kΩ

保護(hù)構(gòu)造 IP67(IEC)

污染度 2

使用環(huán)境濕度 35%RH～85%RH、存儲時：35%RH～85%RH

電纜 0.2mm2 5芯復(fù)合電纜長2m

材質(zhì) 本體外殼：鋁鑄件 前面蓋板：丙烯基

重量 約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)

適用規(guī)格 符合EMC指令

(注1): 未測量條件時，使用條件如下：電源電壓：24V DC、環(huán)境溫度：+20℃、反應(yīng)時間：10ms、測量中心 距離的模擬輸出值。對象物體：白色陶瓷。

(注2): 該值為測量中心距離上的值。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區(qū)域外有漏光，并且 檢測點(diǎn)范圍有高于? 剩余電壓：1.5V以下（流入電流50mA下）

消耗電流 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)

控制輸出 〈NPN輸出型〉

NPN開路集電極晶體管

? 大流入電流：50mA

使用環(huán)境溫度 －10℃～＋45℃（注意不可結(jié)露、結(jié)冰）、存儲時：－20℃～＋60℃

? 漏電流：0.1mA以下

檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，檢測結(jié)果可能會受到影響。

(注3): 測量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。

如果定義區(qū)域外有漏光，并且檢測點(diǎn)范圍有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，測定結(jié)果可能會受到影響。

? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出和＋V之間）

? 大源電流：50mA

使用環(huán)境照度 白熾燈：受光面照度3,000 lx以下

使用標(biāo)高 2,000m以下

? 剩余電壓：1.5V以下（流出電流50mA下）

? 漏電流：0.1mA以下

輸出動作 入光時ON/非入光時ON　可切換

SUNX松下光電傳感器，使用環(huán)境影響